近日，中国电力分公司第四十六研究所成功制备出国内首块6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。
据“中国电力分公司”消息，中国电力分公司第四十六研究所氧化镓团队从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适合6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶的生长技术，可用于6英寸氧化镓单晶衬底的研制，将有力支撑我国氧化镓材料的实用化进程和相关产业的发展。
1.我国氧化镓的研发进展屡见报端。
目前，中国从事氧化镓相关业务的企业有北京镓集团科技、杭州付嘉镓业、北京明伽半导体、深圳进化半导体等。此外，除了46中电，上海光机所、上海微系统研究所、复旦大学、南京大学等各大科研院校也在从事相关研究。最近我国氧化镓的研发进展也是捷报频传。
2022年12月，北京明伽半导体完成4英寸氧化镓晶片衬底技术突破，成为国内首家掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底生长技术的工业公司。
上市公司新湖宝投资的杭州付嘉镓业已初步建立氧化镓单晶材料设计、热场模拟、单晶生长、晶圆加工等全链路R&D能力。，并推出了2英寸及以下规格的氧化镓UID(无意掺杂)、导电和绝缘产品。
浙江大学杭州科技中心也于2022年5月成功制备了2英寸(50.8mm)氧化镓晶片，并且是世界上首次使用该技术生长出具有完全自主知识产权的2英寸氧化镓晶片。
中科大国家模型微电子学院教授龙仕兵于2023年初首次研制出氧化镓垂直沟槽栅场效应晶体管。不久前，龙仕兵课题组的相关研究论文成功被世界顶级技术论坛IEEEIDM大会接受，这也是中科大首次以第一作者身份发表IEEEIDM方面的论文。
2、第四代半导体“咆哮”
近年来，以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料市场需求爆发式增长，获得各大厂商青睐。与此同时，第四代半导体材料以其耐高压、低损耗、高效率、小尺寸等特点成功进入人们的视野。
为了进一步推动氧化镓产业的发展，科技部高新司甚至将其列入2017年重点研发计划。此外，安徽、北京等省市也将氧化镓列为重点研发对象。
虽然氧化镓的发展仍处于起步阶段，但其市场前景仍可期。据统计，到2030年，氧化镓功率半导体的市场规模将达到15亿美元。
中国科学院院士郝跃认为，氧化镓是未来最有可能发光的材料之一。未来10年左右，氧化镓器件可能会成为有竞争力的电力电子器件，与碳化硅器件直接竞争。业内普遍认为，氧化镓有望在未来取代碳化硅和氮化镓，成为新一代半导体材料的代表。
刘晶全球半导体观察
