收购8051单片机芯片IC

　　同时，IGBT等功率半导体是逆变器实现直流转交流的关键所在，在逆变器成本中约占据13%的价值。IGBT 和MOSFET 等电力电子开关器件的高频率开合特性是逆变器实现直流电转交流电这一基础功能的基础。

　　逆变器生产所需原材料主要包括电子元器件、机构件以及辅助材料，其中电子元器件包括功率半导体、集成电路、电感磁性元器件、PCB 线路板、电容、开关器件、连接器等，机构件主要为压铸件、钣金件等，辅助材料主要包括塑胶件等绝缘材料。根据固德威招股说明书披露，机构件、电感、IGBT 功率器件为3 大核心耗材，占据近60%的成本，其中IGBT 功率器件占据约13%，位列第三。

　　光伏逆变器IGBT需求：根据测算，我们预估2026 年全球光伏IGBT 市场需求将从2020 年的28.3 亿元提升至63.5 亿元。若假设国内厂商能拿到65%的市场份额，则国内光伏IGBT 需求将从2020 年的18.4 亿元提升至2026 年的41.3 亿元，CAGR达到14.4%。

　　四、功率半导体竞争格局

　　未来国内的功率半导体无论是二极管/晶闸管，还是MOSFET，乃至难度更高的IGBT，市场份额均有望显著提升，实现功率半导体的国产替代。

　　GBT在MOSFET基础上升级，市场空间增速快。IGBT 作为半导体功率器件中的全控器件，是由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，有MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点。IGBT 的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，其应用领域极其广泛。碳化硅具有较高的能量转换效率，且不会随着频率的提高而降低，碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的10倍，相同规格的碳化硅基MOSFET总能量损耗仅为硅基IGBT的30%。碳化硅材料将在高温、高频、高频领域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽车、智能电网领域发挥重要作用。

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