台州半导体二极管参数 深圳市盟科电子供应

 
 
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  肖特基二极管:肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管,台州半导体二极管参数、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。隧道二极管又称为江崎二极管,台州半导体二极管参数,它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其优点是开关特性好,速度快、工作频率高,台州半导体二极管参数,多应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。二极管具有阳极和阴极两个端子,电流只能往单一方向流动。台州半导体二极管参数


  二极管的结构组成:二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 二极管的电路符号所示。二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;由N区引出的电极是负极,又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管的文字符号用VD表示。浙江二极管安装方式面接触型二极管的PN结接触面积大,可以通过较大的电流,也能承受较高的反向电压。


  光电二极管又称为光敏二极管,它是一种将光信号变成电信号的半导体器件。它的主要部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是:光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换。光电二极管的电路符号、结构及实物。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。工作时加反向电压,没有光照时,其反向电阻很大,只有很微弱的反向饱和电流(暗电流)。当有光照时,就会产生很大的反向电流(亮电流),光照越强,该亮电流就越大。

  二极管VD1温度补偿电路分析根据二极管VD1在电路中的位置,对它的工作原理分析思路主要说明下列几点:(1)VD1的正极通过R1与直流工作电压 V相连,而它的负极通过R2与地线相连,这样VD1在直流工作电压 V的作用下处于导通状态。理解二极管导通的要点是:正极上电压高于负极上电压。(2)利用二极管导通后有一个0.6V管压降来解释电路中VD1的作用是行不通的,因为通过调整R1和R2的阻值大小可以达到VT1基极所需要的直流工作电压,根本没有必要通过串入二极管VD1来调整VT1基极电压大小。二极管由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。


  二极管种类:激光二极管当LED产生的光是频宽极窄的同调光(Coherent Light)时,则称为激光二极管。光电二极管光线射入PN接面,P区电洞、N区电子大量发生,产生电压(光电效应)。借由测量此电压或电流,可作为光感应器使用。有PN、PIN、萧特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管(Tunnel Diode)、江崎二极管(Esaki Diode)、透纳二极管1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用,会出现在一定偏置范围内顺向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是能耐受核辐射的半导体二极管。发光二极管是一种符合绿色照明要求的光源。广州瞬变抑制二极管用途

  二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。台州半导体二极管参数

  二极管的起源早在20世纪40年代,人们就开始利用金属-半导体接触的单向导电性,当时将金属丝与氧化亚铜晶体接触做成点接触型二极管,将这种较简单的半导体器件用于检波。利用薄膜淀积技术可在半导体表面形成大面积的金属-半导体整流接触,做成面接触型的金属-半导体二极管,习惯上称之为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管。目前,功率肖特基势垒二极管主要用铬、铂、钨、铝等金属与N型低阻硅制成 这里需要对阴极金属与重掺杂的N 层之间的接触进行说明。首先肯定是该接触为欧姆接触,与阳极的金属-半导体的整流接触不同。欧姆接触不光光看金属和半导体的功函数之差。更广义的所谓欧姆接触,是指接触电阻很小且不随外加电压的变化而改变其阻值的线性接触。台州半导体二极管参数

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