| 型号 | 3535 | 产地 | 深圳 |
| 封装 | 玻璃封装 | 批号 | 20200713 |
1301121901 | 加工定制 | 是 | |
| 功率 | 0.03-0.08w | 电压 | 6-7V |
| 输入电流 | 0.06A | 厂家 | 鑫业新光电 |
深圳市鑫业新光电有限公司成立于2010年，公司是一家集LED封装及应用产品的研发、生产和销售于一体的公司。产品制造过程采用净化，抗静电的国际标准设施封闭作业并且通过ISO9001质量管理体系认证。拥有业内的ASM全自动固晶、全自动焊线设备及全自动封胶设备，产品检测选用台湾多功能电脑自动分光分色设备处理。
21世纪照明工程正在开发的GaN类LED构造。要想提高LED的外部量子效率，减少LED中的结晶缺陷是关键。与不加工蓝宝石底板的普通方法相比，LEPS技术（在沿（11—20）或（1—100）方面加工出道的蓝宝石底板上形成GaN类LED的技术）可以减少约1/3的结晶缺陷。
使用于荧光灯及彩色电视接收机的荧光材料更容易吸收300nm附近的光。但是，在LED外部量子效率高的400nm 附近，将光转换成绿色及蓝色的荧光体材料的光吸收强度大约是峰值 2/3，而转换成红色光的荧光体材料的吸收强度只有约1/10。
在国家863计划支持下，课题研究团队集中开展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作，着重解决材料存在的表面裂纹、晶体质量差、铝组分低、无法实现短波长发光和结构材料设计等问题，在一些关键技术方面取得了突破，获得了高结晶质量无裂纹的高铝组分材料。在此基础上，课题在国内成功制备了300nm以下的深紫外LED器件，实现了器件的毫瓦级功率输出，开发了深紫外杀菌模块，经测试杀菌率达到95%以上。
当前，将400nm紫外LED用于白色LED所面临的关键是如何开发由400nm附近的光激励的荧光材料以及不会因这种光而出现性能恶化的封装材料。
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