这两个回路会产生电磁干扰，所以这些交流回路必须在电源中布线其他印刷线之前铺设。每个环路的三个主要元件，即滤波电容、功率开关或整流器、电感或变压器，应彼此相邻放置，并调整元件的位置，使它们之间的电流路径尽可能短。建立开关电源布局的方法与其电气设计相似，设计流程如下:1。放置变压器；2.设计电源开关电流回路；3.设计输出整流器电流回路；4.设计连接到交流电源电路的控制电路；设计输入电流源环路和输入滤波器；根据电路的功能单元，电路的所有元件要按照以下原则进行布局:(1)首先考虑PCB的尺寸。
35.进行整改和分段处理的经验，如下图所示，只是一种处理方法。在某些情况下，36岁的经历。辐射矫正和分段治疗不能直接应用。下图适合一些新手工程师，提供了参考方向。在某些情况下，并不直接应用，但有必要了解EMI产生的机理。37.关于PCB遇到的问题，如图，为什么99SE画板覆铜时不能填充这个位置？仿佛有死铜，D1，一个元件，有一个用文字描述的性质，放在最上面的铜箔上，如图，放在最上面的丝印上后就解决了。38.变压器的铜箔屏蔽主要针对传导，导线屏蔽主要针对辐射。当导电性非常好时， 你的辐射可能很差。这时候把变压器的铜箔屏蔽换成导线屏蔽，尽量把跌落位置降低30M，这样辐射整流会快很多。EMI整流技巧之一39。测试辐射的时候，多带几个不同牌子的MOS和肖特基。
有时候只差2、3dB就换个不同的牌子会很惊喜。第二个EMI整流技巧是40上的整流二极管。VCC，这对辐射也有很大影响。一个惨痛的案例，一个过了EMI的产品，盈余4dB以上，已经量产很多次了。有一次量产EMI抽检发现辐射超过1dB，不良品率50%。经过一层一层的调查，把部件一个一个的调换了。最后发现问题是由VCC上的整流二极管引起的。更换了之前的电子管(样本保持低)，剩余为4dB。通过分析不良管道，发现管道内部供应商做了镜像处理。
比如反激原边高压MOS的D和S之间的距离，根据公式是0.85mm，500V V以下d S电压是0.9mm，考虑到污染和湿度，一般是1.2 mm，如果TO220封装的MOS的D管脚用磁珠连接，就要考虑增加T管脚的安全距离。我之前也遇到过炸机的现象，增加安全距离后解决了，因为磁珠容易得渣。55.送土壤法验证VCC，将产品放在低温环境(冰箱)几分钟，测试VCC波形电压是否触发芯片欠压保护点。小公司的设备没有那么齐全。如果你感兴趣， 你可以比较一下，看看VCC有多大的不同。在VCC弯道的设计中有许多因素需要考虑。56.变压器底部PCB加通风孔有利于散热，小板也是。应考虑风路。
