| 品牌 | gneuss | 型号 | DAI-2E2-12A-B10Z-S0-F5-R-W-6P |
| 输出信号 | 模拟型 | 材料物理性质 | 导体 |
| 材料晶体结构 | 单晶 | 材质 | 陶瓷 |
| 压力类型 | 绝压传感器 | 测量范围 | 低压(0.01~1MPa) |
| 工作温度 | -20...80℃ | 绝缘电阻 | 0Ω |
| 负载阻抗 | 0Ω | 允许过载 | 0.1%FS |
| 响应时间 | 0.01s | 额定功率 | 1W |
| 稳定性 | 0.1 | 电气连接 | 0.1 |
| 压力连接 | 0.1 | 灵敏度 | 1mV/V |
| 线性度 | 0.1%F.S. | 迟滞 | 0.1%F.S. |
| 重复性 | 0.1≤%F.S | 是否进口 | 是 |
| 数量 | 10 | 封装 | 金属 |
209283493 | 厂家 | gneuss |
gneuss DAI-2E2-12A-B10Z-S0-F5-R-W-6P进口熔体传感器
DAI - 带有集成放大器的熔体传感器
除了的可靠性之外，DAI 系列还以用于本地或远程配置的自动归零功能的形式提供了改进的用户友好性。
这些型号提供 mA 和 mV 输出信号以供进一步处理。流行和最常用的 2 线和 4-20mA 配置在关键环境中提供的干扰。
长距离抗干扰信号
稳定的输出信号
不会因错误的接线配置而造成损坏
3 线和 4 线技术可使用
可应用高达 400°C (750°F) 的过程介质
标准 G 涂层以抵消粘性材料
通过新的膜技术获得的可靠性
电源：19…32 VDC
输出信号：0…10 V； 0…20 毫安； 4…20 mA（参见订单规格）
校准点：测量范围的 80 %
准确度：0.50 % FSO 分别为 0.25 % FSO（参见订单规格）
过载：量程的 150%
零偏差与
温度变化
在膜上:: 0,003 % 从最终值/°C
零偏差与
温度变化
在测量头上：0.003 % 从最终值/°C
温度在
膜：300°C，NTX 填充（W）
400°C 含汞 (M)
500°C，NaK 填充 (N)
。 温度在
测量头：85 °C
EMC：电磁干扰和电磁敏感性
根据 EN 61326
防护等级：IP 55
