回收驱动器IC的价格在一些非易失性存储器如相变存储器；；PCM)、磁阻存储器(磁阻存储器；；M-RAM)、电阻式存储器(电阻式存储器；RRAM)等技术蓄势待发，即将进入商业化量产的门槛。DDR4很可能会是最后一个DDR内存，计算机和软件结构都会发生极其剧烈的变化。
随着闪存工艺技术的不断演进和单位容量成本的不断下降，采用浮栅半导体电路设计的NAND闪存已经广泛应用于智能手机、嵌入式设备和工业应用中。
美光自己的市场统计预测表明，2012-2016年整体NAND闪存容量应用的复合年增长率可达51%。2013年，美光和SK海力士两家晶圆厂相继发布了16nm工艺的n and闪存技术，而东芝则在2014年直接进入15nm工艺，推出了相关的NAND闪存芯片产品。
NAND Flash的传输速率从2010年onFI 2.0的133MB/s到eMMC 4.41的104 MB/s；到2011年，onFI v2.2/Toggle 1.0规范传输速率提高到200MB/s，eMMC v4.5提高到200MB/s，UFS 1.0传输速率2.9Gbps；2012年，onFI v3.0/Toggle v1.5提升至400MB/s，UFS v2.0传输速率翻倍至5.8Gbps；预计到2015年，onFI v4.x/Toggle v2.xx规范定义的传输速率将提高到800MB/s和1.6 GB/s..
随着NAND Flash工艺的发展，线宽和间距的缩小，擦除循环(P/E循环)次数减少。SLC内存从3x纳米工艺的100，000 p/e周期和4个ECC位减少到2x纳米工艺的60，000 P/E和24个ECC位。MLC已经从早期5x纳米工艺的10000 p/e和8 ECC位降低到2x/2y纳米工艺的3000 p/e和24~40 ECC位。