IGBT栅电容的组成
Ciss= CGE+ CGC输入电容
Coss= CGC+ CEC输出电容
crss = CGC·米勒电容
下面更详细。
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对于IGBT器件，栅极电容包括四个方面，如上图所示:
(1)栅极-发射极金属电容C1
(2)栅-N+源氧化层电容C2
(3)栅极-P基极电容Cgp，由C3和C5组成；
(4)栅集电极电容Cgc，由C4和C6组成。其中，栅发射极电容(也叫输入电容)为Cge = C1+C2+Cgp，栅集电极电容(也叫反向传输电容或米勒电容)为Cgc。此外，Cgp随栅电压的变化而变化，Cgc随IGBT集电极电压的变化而变化。电容Cgp的变化趋势如下图所示。因此，随着电压的增加，Cgp的电容先减小，随着电压的进一步增加，其大小逐渐增大并达到一个稳定值。
驱动电路在开启延迟过程中的等效电路
因为在IGBT的集电极电流上升之前，IGBT仍处于截止状态，所以相对于IGBT的截止电压，栅压的变化可以忽略不计。因此，栅压上升过程对栅集电极电容(Cgc)及其电荷量的影响可以忽略不计，所以导通延迟阶段的充电过程只针对电容C1、C2和Cgp。因此，结合驱动电路的等效电路，可以得到驱动电路在充电过程中的等效电路，如下图所示:
其中Vg为栅极驱动板的输出电压，RG为驱动电阻，Cin为驱动板的输出端口电容，RS和Ls分别为驱动电路的寄生电阻和寄生电感。栅极电压开始上升一段时间后，达到阈值电压，集电极电流开始上升。这个过程也叫开启延迟，一般表示为td(on)。
基于以上分析可以看出，在栅极电压达到阈值电压之前，输入电容并不是一个恒定值，而是一个由大到小，再逐渐增大的过程。因此，在IGBT导通的过程中，驱动电路不对恒定电容充电。下图显示了开启过程中栅极电压的上升趋势:
米勒平台过程
栅压上升到一定值后，会有一个栅压保持水平的阶段，称为米勒坪电压。从上面的分析可以看出，当栅极电压大于阈值电压时，IGBT开始通过正向电流。当集电极电流达到电流时，续流二极管反向，IGBT两端电压Vce迅速降低，耗尽区迅速缩小，Vds的电压也随之降低。耗尽区减小和电压Vds减小的过程决定了栅压米勒平台的形成过程。栅极电压平台级驱动电路的等效电路图如下:
栅-集电极电容Cgc是电容值和电荷量都发生变化的过程，变化过程不受栅压控制，而是由变化的集电极电压决定。在这个过程中，驱动电路一直在给电容Cgc充电，栅极电压Vg不上升的原因是电压Vce一直在下降，这也是米勒平台形成的直接原因。在这个过程中，驱动电路只对Cgc电容充电。
Vce下降后，米勒平台继续维持，因为此时载流子浓度在不断增加，所以电容值也在增加，所以栅极电压仍然维持在米勒平台电压。