特点:
常用的有阻容移相桥式触发电路、单结晶体管触发电路、晶体管触发电路、用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路等等。
SCR的主要参数是:
1.额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极和阴极之间能连续通过的50 Hz正弦半波电流的平均值。
2.正向阻断峰值电压VPF当控制电极开路且未添加触发信号，且阳极直流电压未超过导通电压时，施加到晶闸管两端的正向峰值电压可以重复。可控硅承受的直流电压峰值不能超过手册中给出的这个参数值。
3.反向阻断峰值电压VPR当晶闸管处于具有反向电压的反向关断状态时，施加在晶闸管两端的反向峰值电压可以重复。使用时，不能超过手册中给出的参数值。
4.触发电压VGT在规定的环境温度下，当在阳极和阴极之间施加一定的电压时，晶闸管由关断状态转为导通状态所需的较小的控制极电流和电压。
5.在规定的温度下，保持电流IH关闭控制电极，以维持SCR导通所需的小阳极正向电流。许多新型可控硅器件相继问世，如适用于高频应用的快速可控硅器件、可以用正或负触发信号双向导通的双向可控硅器件、可以用正触发信号导通的可控硅器件、可以用负触发信号关断的可控硅器件等。
分类:
可控硅的分类方法很多。
(1)按关断、开通和控制方式分类:晶闸管按其关断、开通和控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、反向晶闸管、门极关断晶闸管(g to)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管。
(2)按引脚和极性分类:晶闸管按其引脚和极性可分为二极管晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
(3)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为三种:金属封装可控硅、塑料封装可控硅、陶瓷封装可控硅。其中，金属封装可控硅分为螺栓形、平板形、圆壳形等；塑封可控硅分为带翅片和不带翅片两种。
半导体闸流管
(4)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为三种:大功率可控硅、中功率可控硅、小功率可控硅。一般大功率晶闸管多采用金属外壳封装，中小功率晶闸管多采用塑料或陶瓷封装。
(5)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
(6)过零触发——一般是功率调节，即当正弦交流电压的相位过零时，必须在零点触发才能导通晶闸管。
(7)非过零触发——无论交流电压是哪一相，都能触发可控硅导通。常见的触发是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角(角相位)来改变输出百分比。
用万用表测量的方法如下:
1.T2极的确定:用万用表在R*1或R*100档测量各引脚的反向电阻。如果两个引脚的反向电阻非常小(约100欧姆)，则是t 1和G极，剩下的一个是T2极。
2.T1和G极的区分:假设这两个极一个是T1，一个是G，将万用表设在R*1，用两个探针(不分正负极)分别接触确定的T2极和假想的T1极，同时用探针接触T1的方式接触假想的G极，在保证假想的T1极不会接通的情况下断开假想的G极，万用表仍显示on状态。
3.交换探头和笔，用同样的方法测量。如果万用表仍然显示相同的结果，那么假设的T1和G极是正确的。如果在保证假设的T1极没有断开的情况下，假设的G极断开，万用表会显示断开状态，说明假设的T1和G极是相反的，从新的假设开始测量，结果是正确的。
如果不能测出上述结果，则双向可控硅坏了。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用是可行的。
双向晶闸管的使用条件
(1)在外加电压下，允许超过正向翻转电压，否则控制电极不起作用。
(2)可控硅的通态平均电流，从安全角度考虑，一般取1.5~2倍电流。
(3)为了保证控制电极的可靠触发，加在控制电极上的触发电流一般大于其量。此外，必须采取保护措施。过电流的保护措施一般是在电路中串联一个快速熔断器，其额定电流约为可控硅电流平均值的1.5倍。接入位置可在交流侧或DC侧，在交流侧时额定电流较大。
一般多采用前者。过压保护通常出现在有电感的电路中，或者交流侧有干扰的浪涌电压中，或者交流侧瞬态过程产生的过压中。由于过电压峰值高、作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路来抑制。