IGBT模块简介
IGBT是绝缘栅双极晶体管的缩写。IGBT是由MOSFET和双极晶体管组成的器件。它的输入是MOSFET，输出是PNP晶体管。它结合了这两种器件的优点，既有MOSFET器件驱动功率低、开关速度快的优点，又有双极器件饱和电压低、容量大的优点。其频率特性介于MOSFET和功率晶体管之间，可以在几十kHz的频率范围内正常工作。它在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，并在高频和中功率应用中占据主导地位。
IGBT的等效电路如图1所示。从图1可以看出，如果在IGBT的栅极和发射极之间加一个正的驱动电压，MOSFET就会导通，这样PNP晶体管的集电极和基极就会处于低阻状态，晶体管就会导通。如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V，MOS关断，从而切断PNP晶体管基极电流的供给，使晶体管截止。像MOSFET一样，IGBT也是一种压控器件。在它的栅极和发射极之间加一个10 V以上的DC电压，只有uA级的漏电流流过，基本不消耗功率。
