用万用表测量的方法如下:
1.T2极的确定:用万用表在R*1或R*100档测量各引脚的反向电阻。如果两个引脚的反向电阻非常小(约100欧姆)，则是t 1和G极，剩下的一个是T2极。
2.T1和G极的区分:假设这两个极一个是T1，一个是G，将万用表设在R*1，用两个探针(不分正负极)分别接触确定的T2极和假想的T1极，同时用探针接触T1的方式接触假想的G极，在保证假想的T1极不会接通的情况下断开假想的G极，万用表仍显示on状态。
3.交换探头和笔，用同样的方法测量。如果万用表仍然显示相同的结果，那么假设的T1和G极是正确的。如果在保证假设的T1极没有断开的情况下，假设的G极断开，万用表会显示断开状态，说明假设的T1和G极是相反的，从新的假设开始测量，结果是正确的。
如果不能测出上述结果，则双向可控硅坏了。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用是可行的。
双向晶闸管的使用条件
(1)在外加电压下，允许超过正向翻转电压，否则控制电极不起作用。
(2)可控硅的通态平均电流，从安全角度考虑，一般取1.5~2倍电流。
(3)为了保证控制电极的可靠触发，加在控制电极上的触发电流一般大于其量。此外，必须采取保护措施。过电流的保护措施一般是在电路中串联一个快速熔断器，其额定电流约为可控硅电流平均值的1.5倍。接入位置可在交流侧或DC侧，在交流侧时额定电流较大。
一般多采用前者。过压保护通常出现在有电感的电路中，或者交流侧有干扰的浪涌电压中，或者交流侧瞬态过程产生的过压中。由于过电压峰值高、作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路来抑制。
晶闸管管，由四层半导体材料组成，有三个PN结和三个外电极(图2(A)):P层半导体引出的电极称为阳极A，P层半导体引出的电极称为控制电极G，N层半导体引出的电极称为阴极k，从晶闸管的电路符号可以看出[图2 (b)]，它是一个类似二极管的单向导通器件，关键是增加了一个控制电极G，使其具有与二极管完全不同的工作特性。P1N1P2N2基于硅单晶的四层三端器件，始于1957年。由于其特性类似于真空闸流管，国际上称为硅闸流管，缩写为晶闸管T，又因其具有静态整流作用，故又称为可控硅整流元件，缩写为可控硅。在性能上， SCR不仅具有单向导通性，还具有比硅整流器(俗称“死硅”)更有价值的可控性。它只有两种状态:开和关。
可控硅整流器可以控制毫安级电流的大功率机电设备。如果超过这个功率，由于元件的开关损耗显著增加，允许通过的平均电流会降低。此时，标称电流应该下降。可控硅有很多优点，比如:用小功率控制大功率，功率放大高达几十万倍；反应极快，微秒级开关；无触点操作，无火花，无噪音；效率高，成本低等等。SCR的缺点:静态和动态过载能力差；容易被干扰误导。可控硅整流器可分为螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构
不管可控硅的形状如何，它们的管芯都是P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。参见图1。它有三个PN结(J1、J2、JBOY3乐队)，分别来自J1结构的P1层、阳极A、阴极K和控制电极G，所以它是一个四层三端半导体器件。
SCR结构示意图和符号图