IGBT的工作原理
IGBT由三极控制:栅极(G)、发射极(E)和集电极(C)。如图1所示，IGBT的开关作用是通过施加正向栅极电压形成沟道，为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。相反，增加反向栅极电压以消除沟道，切断基极电流并关闭IGBT。从图2可以看出，如果在IGBT的栅极和发射极之间施加正驱动电压，MOSFET导通，使得PNP晶体管的集电极和基极处于低阻状态，晶体管导通；如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V，则MOSFET关断，从而切断PNP晶体管基极电流的供给，使晶体管截止。
