如果在漏极和源极之间施加超过器件额定VDSS的浪涌电压，达到击穿电压V(BR)DSS(其值根据击穿电流不同而不同)，超过一定能量后就会被破坏。
介质负载的开关关断时产生的反激电压，或者漏电感产生的峰值电压超过功率MOSFET漏极的额定耐受电压，进入击穿区，都会造成雪崩损坏。
第二种:器件受热损坏。
因超出安全区域引起的发热。发热的原因分为DC力和瞬时力。
DC动力的原因:外部DC动力造成的损耗产生的热量。
导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增加，导致在一定电流下功耗增加)
漏电流IDSS引起的损耗(与其他损耗相比非常小)
瞬态功率的原因:额外的单触发脉冲。
负载短路开关损耗(开和关)(与温度和工作频率有关)
内置二极管的Trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率有关)
器件在正常工作时，不会因负载短路而引起过电流，造成瞬间局部发热而损坏。此外，当热量不匹配或开关频率过高时，芯片无法正常散热，持续发热导致温度超过沟道温度，导致热击穿破坏。
第三种:内置二极管损坏
当DS端子之间的寄生二极管运行时，因为功率MOSFET的寄生双极晶体管以反激方式运行，
导致该二极管失效的模式。
第四种:寄生振荡造成的损伤
当并联连接时，这种故障模式是特别容许的。
当功率MOSFET直接连接而没有并联栅极电阻时，会发生栅极寄生振荡。当漏极-源极电压以高频率重复导通和关断时，这种寄生振荡出现在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路中。当谐振条件(ωl = 1/ωc)成立时，在栅极和源极之间施加远大于驱动电压Vgs(Vin)的振动电压，可能会因超过栅极和源极之间的额定电压而导致栅极损坏，或者漏极和源极之间电压导通或关断时的振动电压会通过栅漏电容Cgd和Vgs的波形叠加导致正反馈，因此可能会因误操作而导致振荡损坏。
第五:栅极浪涌，静电破坏。
主要是电网与电源之间的电压浪涌和静电造成的损害，即电网过电压损害和GS两端(包括安装和测量设备带电)在带电状态下静电造成的电网损害。
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