凭借多年的经验，不懈的开拓精神和良好的商业信誉，公司在电力方面取得了巨大的成就。
在电力电子行业树立了良好的企业形象，并同时与多家电力电子企业合作并上市。
该公司保持了长期稳定和相互信任，它也是大量的电子制造商(富士，三)
凌影凌飞、西门康、埃塞克斯、尼尔、ABB、西玛、三舍、宏伟等。)都是诚实的代理商和经销商。公司通过多年的实践经验，积累了扎实的功率半导体应用知识，为电力牵引、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供技术支持！IGBT(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度很快， 但是导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。IGBT(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快。但是导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、 变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是一种模块化半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和续流二极管芯片(续流二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。封装的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源和其他设备。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前市场上销售的大部分产品都是这类模块化产品，IGBT一般指IGBT模块；随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越普遍；IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“CPU”。作为国家战略性新兴产业，IGBT广泛应用于轨道交通、 智能电网、航空航天、电动汽车、新能源设备。
IGBT是英文单词safed Gate Bipolar translator，中文意思是绝缘栅双极晶体管。从功能上讲，IGBT是一种电路开关，具有电压可控、饱和压降小、耐压高的优点。用于电压几十到几百伏，电流几十到几百安培的高压中。此外，IGBT不需要机械按钮，它是由电脑控制的。因此，借助IGBT的开关，我们可以设计一种电路，将电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或将各种电变成所需频率的交流电，供负载使用。这些电路统称为转换器。
IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前市场上销售的大部分产品都是这类模块化产品，IGBT一般指IGBT模块；随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越普遍；IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“CPU”。IGBT作为国家战略性新兴产业，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备等领域。
IGBT是垂直功率MOSFET的自然演变，适用于大电流、高电压应用和快速终端设备。因为需要源极-漏极沟道来实现更高的击穿电压BVDSS，但是该沟道具有高电阻率，这导致功率MOSFET具有高RDS(on)值。IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然第一代功率MOSFET器件的RDS(on)特性已经有了很大的改善，但是功率传导损耗仍然远远高于IGBT技术在高水平下的功率传导损耗。与标准双极性器件相比，更低的压降、转换为低VCE(sat)的能力以及IGBT的结构可以支持更高的电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。