因为IGBT模块是MOSFET结构，IGBT的栅极通过氧化膜与发射极电隔离。由于这种氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20 ~ 30 V，因此静电引起的栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此，在使用中要注意以下几点:使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子，需要触摸模块端子时，应先将人体或衣服上电阻较大的静电放电后再触摸；当用导电材料连接模块驱动端子时，请不要在接线完成前连接模块；尽量在底板接地良好的情况下操作。在应用中，虽然有时保证栅极驱动电压不超过栅极的额定电压， 栅极连接的寄生电感和栅极与集电极之间的电容耦合也会产生损坏氧化层的振荡电压。因此，通常使用双绞线来传输驱动信号，以减少寄生电感。振荡电压也可以通过在栅极连接中串联一个小电阻来抑制。另外，当栅极和发射极之间开路时，如果在集电极和发射极之间施加电压，随着集电极电位的变化，栅极电位会上升，集电极会有电流。此时，如果集电极和发射极之间有高电压，IGBT可能会被加热甚至损坏。使用IGBT时，当门极电路异常或损坏(门极处于开路状态)时，如果主电路有电压，IGBT就会损坏。为了防止这种错误， 应在栅极和发射极之间串联一个约10KΩ的电阻。在安装或更换IGBT模块时，我们应该非常重视IGBT模块和散热器之间的接触面状态和紧固程度。为了降低接触热阻，散热器和IGBT模块之间涂有导热硅脂。一般情况下，散热片底部安装有冷却风扇。当冷却风扇损坏时，散热片散热不良，会导致IGBT模块发热而失效。因此，应该定期检查冷却风扇。一般情况下，温度传感器安装在散热片上的IGBT模块附近，当温度过高时，它会报警或停止IGBT模块的工作。
IGBT绝缘栅双极晶体管是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高和GTR导通压降低的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。IGBT非常适合DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1示出了N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构。N+区域被称为源极区域， 附着在其上的电极称为源极。N+区域被称为漏极区域。器件的控制区是栅极区，附着其上的电极称为栅极。沟道形成在栅极区域的边界附近。漏极和源极之间的P型区(包括P+和P-1区)(该区形成沟道)称为子沟道区，而漏极区另一侧的P+区称为漏注入区，这是IGBT特有的功能区。它与漏极区和子沟道区一起构成PNP双极晶体管，作为发射极，向漏极注入空穴，进行导通调制，降低器件的导通状态。连接到漏极注入区的电极称为漏极。IGBT的开关功能是通过增加正向栅极电压来形成沟道， 并为PNP晶体管提供基极电流以开启IGBT。相反，增加反向栅极电压以消除沟道，切断基极电流并关闭IGBT。IGBT的驱动方式与MOSFET基本相同，只需要控制输入电极N沟道MOSFET，因此具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N层的空穴(少数载流子)中，调制N层的电导，降低N层的电阻，使IGBT在高电压下具有较低的通态电压。