IGBT模块的优势及发展前景
2021年，当世界仍存在巨大的变数时，经济预期趋于保守和谨慎，但我们仍有理由对IGBT的发展持乐观态度。IGBT是IGBT的简称。它是传统双极结型晶体管(BJT)和场效应晶体管(MOSFET)的交叉点，是半导体开关器件的理想选择。
IGBT晶体管是这两种常见晶体管的一部分，MOSFET的高输入阻抗和高开关速度以及双极晶体管的低饱和电压，它们结合在一起产生另一种晶体管开关器件，可以处理大的集电极-发射极电流，几乎零栅极电流驱动。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了MOSFET的绝缘栅技术和传统双极晶体管的输出性能特性。这种混合组合的结果是，IGBT晶体管具有双极晶体管的输出开关和导通特性，但它像MOSFET一样受电压控制。
IGBT主要用于电力电子领域，如逆变器、变换器和电源，但功率双极晶体管和功率mosfet不能完全满足固态开关器件的要求。大电流高压双极晶体管都有，但是开关速度很慢，而功率mosfet可能开关速度更高，但是高压大电流器件价格昂贵，实现困难。
与BJT或MOSFET相比，绝缘栅双极晶体管器件的优点是它提供了比标准双极晶体管更大的功率增益，并且MOSFET具有更高的工作电压和更低的输入损耗。事实上，它是一个集成了双极晶体管的场效应晶体管。
随着电子和半导体工业的发展，IGBT和晶闸管市场也在发展。IGBT模块用于电动汽车和混合动力汽车，因为它们需要比传统工业应用更高的可靠性。与其他系统相比，IGBT模块可靠性的提高是促进IGBT和晶闸管市场增长的主要因素。现在汽车工业正在经历从传统汽车到电动汽车的重大转变。各国都在采取措施增加电动汽车的使用，因为电动汽车的环保特性可能会刺激IGBT和晶闸管市场。
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