IGBT是MOSFET和双极晶体管基于的复合设备。它既具有MOSFET易于驱动的特点，又具有功率晶体管电压电流容量大的优点。其频率特性介于MOSFET和功率晶体管之间，可以在几十kHz的频率范围内正常工作，因此在高频大功率和中功率应用中占据主导地位。
IGBT作为大功率复合器件，存在过流时可能被闭锁损坏的问题。如果过流时门极电压以正常速度闭锁，过高的电流变化率会引起过电压，需要采用软关断技术，因此需要掌握IGBT的驱动和保护特性。
IGBT是一个压控装置。在它的栅极和发射极之间施加10 V以上的DC电压，只有μA的漏电流流过，基本不消耗功率。但是IGBT的栅极和发射极之间存在很大的寄生电容(几千到几万pF)，需要在驱动脉冲电压的上升沿和下降沿提供几A的充放电电流来满足开关的动态要求，这就使得其驱动电路也要输出一定的峰值电流。
IGBT作为大功率复合器件，存在过流时可能被闭锁损坏的问题。如果过流时门极电压以正常速度闭锁，过高的电流变化率会引起过电压，需要采用软关断技术，因此需要掌握IGBT的驱动和保护特性。
栅极串联电阻对栅极驱动波形的影响
栅极驱动电压的上升和下降速率对IGBT的开启和关闭过程有很大的影响。IGBT的MOS沟道直接受栅极电压控制，MOSFET部分的漏极电流控制双极部分的栅极电流，使得IGBT的导通特性主要由其MOSFET部分决定，因此IGBT的导通受栅极驱动波形影响较大。IGBT的关断特性主要取决于内部少数载流子的复合率，少数载流子的复合受MOSFET关断的影响，因此栅极驱动也影响IGBT的关断。
在高频应用中，驱动电压的上升和下降速率应该更快，以提高IGBT的开关速率并降低损耗。
正常情况下，IGBT开启越快，损耗越小。但是，如果开通时有续流二极管的反向恢复电流和吸收电容的放电电流，开通越快，IGBT承受的峰值电流越大，越容易造成IGBT损坏。此时应降低栅极驱动电压的上升速率，即增加栅极串联电阻的阻值，以抑制此电流的峰值。代价是较大的导通损耗。利用这种技术，可以将导通过程中的峰值电流控制在任意值。
从分析可以看出，门极的串联电阻和驱动电路的内阻抗对IGBT的导通过程影响很大，而对关断过程影响很小。串联电阻小有利于加快关断速率，降低关断损耗，但过小会导致di/dt过大，集电极电压尖峰大。因此，串联电阻应根据具体设计要求综合考虑。
栅极电阻也影响驱动脉冲的波形。电阻值过小会引起脉冲振荡，过大会使脉冲波形的前沿和后沿延迟变慢。IGBT的栅极输入电容Cge随着其额定电流容量的增加而增加。为了保持驱动脉冲的上升沿和下降沿速率相同，具有大电流容量的IGBT器件应该具有大的上升沿和下降沿充电电流。因此，栅极串联电阻的电阻值应随着IGBT电流容量的增加而减小。