栅极串联电阻对栅极驱动波形的影响
栅极驱动电压的上升和下降速率对IGBT的开启和关闭过程有很大的影响。IGBT的MOS沟道直接受栅极电压控制，MOSFET部分的漏极电流控制双极部分的栅极电流，使得IGBT的导通特性主要由其MOSFET部分决定，因此IGBT的导通受栅极驱动波形影响较大。IGBT的关断特性主要取决于内部少数载流子的复合率，少数载流子的复合受MOSFET关断的影响，因此栅极驱动也影响IGBT的关断。
在高频应用中，驱动电压的上升和下降速率应该更快，以提高IGBT的开关速率并降低损耗。
正常情况下，IGBT开启越快，损耗越小。但是，如果开通时有续流二极管的反向恢复电流和吸收电容的放电电流，开通越快，IGBT承受的峰值电流越大，越容易造成IGBT损坏。此时应降低栅极驱动电压的上升速率，即增加栅极串联电阻的阻值，以抑制此电流的峰值。代价是较大的导通损耗。利用这种技术，可以将导通过程中的峰值电流控制在任意值。
从分析可以看出，门极的串联电阻和驱动电路的内阻抗对IGBT的导通过程影响很大，而对关断过程影响很小。串联电阻小有利于加快关断速率，降低关断损耗，但过小会导致di/dt过大，集电极电压尖峰大。因此，串联电阻应根据具体设计要求综合考虑。
栅极电阻也影响驱动脉冲的波形。电阻值过小会引起脉冲振荡，过大会使脉冲波形的前沿和后沿延迟变慢。IGBT的栅极输入电容Cge随着其额定电流容量的增加而增加。为了保持驱动脉冲的上升沿和下降沿速率相同，具有大电流容量的IGBT器件应该具有大的上升沿和下降沿充电电流。因此，栅极串联电阻的电阻值应随着IGBT电流容量的增加而减小。
IGBT的过电流保护
IGBT的过流保护电路可分为两类:一类是低倍数(1.2 ~ 1.5倍)过载保护；一种是高倍数(高达8 ~ 10倍)短路保护。
对于过载保护，不需要快速响应，可以采用集中保护，即检测输入端或DC链路的总电流。当该电流超过设定值时，比较器翻转并阻断所有IGBT驱动器的输入脉冲，从而使输出电流降至零。这种过载电流保护一旦激活，只能通过复位恢复正常运行。
IGBT能短时间耐受短路电流，耐受短路电流的时间与IGBT的饱和压降有关，随着饱和压降的增大而延长。比如饱和压降小于2V的IGBT可以承受短路时间小于5μs，饱和压降3V的IGBT可以承受短路时间长达15μs，在4 ~ 5v可以达到30μs以上。存在上述关系是因为随着饱和导通压降的降低，IGBT的阻抗也降低，同时短路电流增大。短路期间的功耗随着电流的平方增加，导致承受短路的时间迅速减少。
通常有两种保护措施:软关断和降低栅极电压。软关断是指在发生过流和短路时，直接关断IGBT。而软关断抗干扰能力差，一旦检测到过流信号就会关断，容易造成误动作。为了提高保护电路的抗干扰能力，可以在故障信号和保护电路启动之间增加一个延时，但是在这个延时过程中故障电流会急剧上升，大大增加了功率损耗，也导致了器件的di/dt增加。因此，保护电路经常被启动，而设备仍然是坏的。
降低栅极电压的目的是当检测到器件过电流时立即降低栅极电压，但器件保持导通。栅压降低后有一个固定的延时，在这个延时期间故障电流被限制在一个很小的值，降低了器件发生故障时的功耗，延长了器件的抗短路时间，并且可以降低器件关断时的di/dt，对器件保护非常有利。如果延时后故障信号仍然存在，则器件关闭，如果故障信号消失，驱动电路可以自动恢复正常工作状态，大大增强了抗干扰能力。