会员登录|免费注册|忘记密码|管理入口 返回主站||保存桌面|手机浏览|联系方式|购物车
企业会员第1年

苏州银邦电子科技有限公司  
加关注0

二极管

搜索
联系方式


请先 登录注册 后查看


新闻分类
  • 暂无分类
站内搜索
 
荣誉资质
  • 暂未上传
首页 > 公司新闻 > 晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断
公司新闻
晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断
2023-07-01IP属地 湖北30

  当晶闸管损坏需要检查分析时,可将铁芯从冷却套中取出,打开芯盒后取出芯片,观察损坏痕迹,确定原因。以下是对几种常见现象的分析。

  1.电压击穿。晶闸管因为承受不了电压而损坏,其芯片上有一个光滑的孔,有时需要用放大镜才能看到。原因可能是灯管本身的耐压下降或者电路断开时被高压击穿。

  2.电流被破坏了。电流损伤的痕迹表现为芯片被烧成凹坑,凹坑粗糙,位置远离控制电极。

  目前的上升率受损。其迹线和电流损坏,在控制电极附近或上。

  3.边缘受损。发生在芯片外圆倒角处,有小而光滑的孔。用放大镜可以看到倒角面上有细小的金属划痕。这是由于制造商安装不小心造成的。会导致电压击穿。