场效应晶体管(FET)是一种通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件。因为它只通过半导体中的多数载流子导电，所以也被称为单极晶体管。场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点。FET的工作原理是什么？FET有什么特点？
FET的工作原理是什么？FET有什么特点？
FET的工作原理是什么？
一句话，FET的工作原理是“流过沟道的漏源id，用于栅极和沟道之间的pn结形成的反向偏置栅压控制id”。更准确地说，id流过的沟道的宽度，即沟道的横截面积，是由pn结反向偏置的变化来控制的，导致耗尽层的膨胀变化。在vgs=0的非饱和区，过渡层的膨胀不是很大。根据施加在漏极和源极之间的vds的电场，源区中的一些电子被漏极拉走，即电流id从漏极流向源极。从栅极延伸到漏极的过渡层将一部分沟道形成为阻挡型，id饱和。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了一部分通道， 但是电流没有被切断。
由于过渡层中没有电子和空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，电流通常难以流动。但此时漏源之间的电场实际上是两个过渡层接触漏极和栅极下部，漂移电场拉动的高速电子穿过过渡层。因为漂移电场的强度几乎是恒定的，所以出现了id的饱和现象。其次，vgs向负方向变化，使得vgs=vgs(off)，此时过渡层几乎覆盖整个区域。而且vds的电场大部分加在过渡层上，把电子拉向漂移方向的电场只是靠近源极的很短一部分，使得电流无法流动。
金属氧化物半导体场效应晶体管功率开关电路
Mos场效应晶体管也叫金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。一般有两种:耗尽型和增强型。增强型mos FET可分为npn型和pnp型。Npn型通常称为N沟道型，pnp型也称为P沟道型。对于N沟道FET，源极和漏极连接到N型半导体，对于P沟道FET，源极和漏极连接到P型半导体。场效应晶体管的输出电流由输入电压(或电场)控制。可以认为输入电流很小或者没有输入电流，使得器件具有很高的输入阻抗，这就是我们称之为FET的原因。
当一个直流电压加到二极管上时(P端在正极，N端在负极)，二极管导通，电流流过它的pn结。这是因为当P型半导体端子处于正电压时，N型半导体中的负电子被吸引到被施加正电压的P型半导体端子，而P型半导体端子中的正电子向N型半导体端子移动，从而形成传导电流。同样，当二极管加反向电压时(P端接负极，N端接正极)，P型半导体端有负电压，正电子聚集在P型半导体端，而负电子聚集在N型半导体端，电子不移动， 因此没有电流通过pn结，二极管被关断。当栅极没有电压时，从前面的分析可以看出，源漏之间不会有电流流动，此时场效应晶体管处于截止状态(图7a)。当向N沟道mos FET的栅极施加正电压时，来自N型半导体的源极和漏极的负电子由于电场而被吸引到栅极，但是由于氧化膜的阻挡，电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图7b)，从而形成电流来传导源极和漏极。可以想象，两个N型半导体之间有一个沟槽，栅压的建立相当于在两者之间搭建了一个桥，桥的大小由栅压决定。
C-mos场效应晶体管
该电路结合了增强型P沟道mos FET和增强型N沟道mos FET。当输入端为低电平时，P沟道mos FET导通，输出端随电源正极导通。当输入端为高电平时，N沟道mos FET导通，输出端与电源地相连。在这个电路中，P沟道mos FET和N沟道mos FET总是工作在相反的状态，它们的相位输入和输出是相反的。通过这种方式，我们可以获得更大的电流输出。同时由于漏电流的影响，栅极电压还没有达到0 V，通常当栅极电压小于1至2v时，mos FET截止。不同场效应晶体管的关断电压略有不同。正因为如此，电路不会因为两个灯管同时导通而短路。
场效应晶体管的特性
(1) FET是电压控制器件，通过vgs(栅源电压)控制id(漏电流)；
(FET的控制输入电流很小，所以它的输入电阻(107 ~ 1012ω)很大。
(3)采用多数载流子导电，温度稳定性好；
(4)由其组成的放大电路的电压放大系数小于三极管组成的放大电路的电压放大系数；
(5)场效应管抗辐射能力强；
(6)由于它没有混沌电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
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