1957年制造出基于硅单晶的P1N1P2N2四层三端器件。由于其特性类似于真空闸流管，国际上称为硅闸流管，简称SCR T。因为可控硅最早应用于可控整流器，所以又叫可控硅整流元件，简称可控硅。
在性能上，SCR不仅具有单向导通性，还具有比硅整流器(俗称“死硅”)更有价值的可控性。它只有两种状态:开和关。
可控硅整流器可以控制毫安级电流的大功率机电设备。如果超过这个频率，由于元件的开关损耗显著增加，允许通过的平均电流将会降低。此时，标称电流应该下降。
可控硅有很多优点，比如:用小功率控制大功率，功率放大高达几十万倍；反应极快，微秒级开关；无触点操作，无火花，无噪音；效率高，成本低等等。
SCR的缺点:静态和动态过载能力差；容易被干扰误导。
可控硅主要有螺栓形、平板形和平底形。
1、晶闸管的结构。
不管可控硅的形状如何，它们的管芯都是P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。参见图1。它有三个PN结(J1、J2、JBOY3乐队)，分别来自J1结构的P1层、阳极A、阴极K和控制电极G，所以它是一个四层三端半导体器件。
2.工作原理
可控硅是四层三端结构元件，有三个PN结。分析原理时，可以认为是由一个PNP晶体管和一个NPN晶体管组成，其等效图如图1所示。
图一。SCR结构示意图和符号图。
当直流电压加到阳极A时，BG1和BG2管都处于放大状态。此时，如果从控制电极G输入正触发信号，基极电流ib2将在BG2中流动，该电流将被BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接连接到BG1的基极，所以ib1=ic2。此时电流ic2被BG1放大，所以BG1 = β 1b1 = β 1b2的集电极电流IC1。这个电流流回BG2的基极，呈现正反馈，使得ib2不断增大。由于这种正反馈循环，两个管的电流急剧增加，晶闸管饱和导通。
由于BG1和BG2形成的正反馈作用，一旦晶闸管导通，即使控制极G的电流消失，晶闸管仍能保持导通状态。因为触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以晶闸管不能关断。
因为可控硅只有两种工作状态:导通和关断，所以它具有开关特性，需要一定的条件才能转换，如表1所示。
SCR的基本伏安特性如图2所示。
图2可控硅整流器的基本伏安特性