第三代半导体材料的应用正在蓬勃发展。
以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为突破口，第三代半导体材料正在兴起。根据相关报道，在5G设备、电动汽车和工业设施(包括太阳能设施)中使用SiC和GaN等复合半导体的需求确实在增加。从2021年开始，复合功率半导体市场将大幅增长，到2029年，复合功率半导体市场有望增长5倍以上。
包括SiC(4H-SiC)和GaN (GaN)在内的下一代化合物功率半导体市场正在开始增长。市场研究公司Yole预测，到2024年，SiC功率半导体市场的年复合增长率将达到29%，达到20亿美元。相关受益者应包括美国的Cree、意法半导体和Veeco以及韩国的RFHIC。
晶圆生产技术是生产GaN和SiC半导体的关键。我们注意到，化合物半导体已经应用于5G设备、工业设施、电动汽车、太阳能等其他行业。最近，氮化镓晶体管被广泛用作智能手机和笔记本电脑的充电适配器。另外，现代汽车集团最近公布的E-GMP采用了Sic半导体。
在复合半导体的生产中，晶片生产技术很重要。GaN半导体是通过用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备在衬底上生长GaN外延层来制造的。SiC外延片是沉积在多晶硅片上的SiC单晶层，厚度为几微米。碳化硅晶圆由很多公司生产，包括凯瑞、英飞凌和罗曼。在韩国，收购了杜邦碳化硅晶片部门的SK Siltron正在投资这一行业。碳化硅晶片现在供不应求。
Cree计划到2024年将SiC产能提高30倍，并向GaN业务投资10亿美元。2019年，ST微的SiC芯片组相关销售额达到2亿美元，预计到2025年将达到10亿美元。
关注半导体，了解更多半导体产品。请参考苏州银邦电子科技有限公司的介绍..