IGBT的过电流保护
IGBT的过流保护电路可分为两类:一类是低倍数(1.2 ~ 1.5倍)过载保护；一种是高倍数(高达8 ~ 10倍)短路保护。
对于过载保护，不需要快速响应，可以采用集中保护，即检测输入端或DC链路的总电流。当该电流超过设定值时，比较器翻转并阻断所有IGBT驱动器的输入脉冲，从而使输出电流降至零。这种过载电流保护一旦激活，只能通过复位恢复正常运行。
IGBT能短时间耐受短路电流，耐受短路电流的时间与IGBT的饱和压降有关，随着饱和压降的增大而延长。比如饱和压降小于2V的IGBT可以承受短路时间小于5μs，饱和压降3V的IGBT可以承受短路时间长达15μs，在4 ~ 5v可以达到30μs以上。存在上述关系是因为随着饱和导通压降的降低，IGBT的阻抗也降低，同时短路电流增大。短路期间的功耗随着电流的平方增加，导致承受短路的时间迅速减少。
通常有两种保护措施:软关断和降低栅极电压。软关断是指在发生过流和短路时，直接关断IGBT。而软关断抗干扰能力差，一旦检测到过流信号就会关断，容易造成误动作。为了提高保护电路的抗干扰能力，可以在故障信号和保护电路启动之间加一个延时，但是在这个延时期间故障电流会急剧上升，大大增加了功率损耗，也导致了器件的di/dt的增加。因此，保护电路经常被启动，而设备仍然是坏的。
降低栅极电压的目的是当检测到器件过电流时立即降低栅极电压，但器件保持导通。栅压降低后有一个固定的延时，在这个延时期间故障电流被限制在一个很小的值，降低了器件发生故障时的功耗，延长了器件的抗短路时间，并且可以降低器件关断时的di/dt，对器件保护非常有利。如果延时后故障信号仍然存在，则器件关闭，如果故障信号消失，驱动电路可以自动恢复正常工作状态，大大增强了抗干扰能力。
上述降低栅压的方法只考虑了栅压与短路电流的关系，而在实际中，降低栅压的速度也是一个重要因素，它直接决定了故障电流降低的di/dt。慢栅压降技术是通过限制栅压下降的速度来控制故障电流下降的速率，从而抑制dv/dt和uce的峰值。图5示出了实现慢栅极压降的具体电路。
图5实现缓慢栅压下降的电路
在正常操作期间，由于故障检测二极管VD1的导通，点A处的电压被箝位在齐纳二极管VZ1的击穿电压以下，并且晶体管VT1总是保持关断。V1通常通过驱动电阻Rg来开启和关闭。电容C2为硬开关应用提供了很小的延迟，使得uce在V1导通时有一定的时间从高压下降到导通态压降，而不使保护电路工作。
当电路发生过流和短路故障时，V1上的uce上升，A点的电压也相应上升。当达到一定值时，VZ1击穿，VT1导通，B点电压下降。电容器C1通过电阻器R1充电，电容器电压从零开始上升。当电容器电压上升到大约1.4V时，晶体管VT2导通，并且栅极电压uge随着电容器电压的增加而下降。通过调节C1的值，可以控制电容器的充电速度，从而控制它。当电容电压上升到齐纳二极管VZ2的击穿电压时，VZ2击穿，uge箝位在一个固定值，慢慢降低栅极电压的过程结束。同时，驱动电路通过光耦输出过流信号。如果故障信号在延迟期间消失，A点的电压降低，VT1回到截止状态，C1通过R2放电， D点电压上升，VT2返回截止，uge上升，电路恢复正常工作状态。
IGBT开关过程中的过电压
当IGBT关断时，其集电极电流将高速下降，尤其是在短路故障的情况下。如果不采取软关断措施，其临界电流将降低几Ka/μ s..极高的电流下降率会在主电路的分布电感上感应出很高的过电压，导致IGBT在关断时损坏。所以从关断的角度来说，希望主电路的电感和电流下降率越小越好。但对于IGBT的开通，集电极电路的电感有助于抑制续流二极管的反向恢复电流和电容充放电引起的峰值电流，降低开通损耗，承受更高的开通电流上升率。一般来说，IGBT开关电路的集电极不需要串联电感， 并且可以通过改善栅极驱动条件来控制其导通损耗。