在实际的SCR电路中，RC串联网络往往在其两端并联，通常称为RC阻容吸收电路。
可控硅有一个重要的特性参数——关态电压临界上升率dlv/dlt。它显示了在额定结温和栅极关断状态条件下，晶闸管从关断状态到导通状态的电压上升速率。如果电压上升率过大，超过晶闸管的电压上升率的值，则无门极信号导通。即使施加到SCR的直流电压低于其阳极峰值电压，这也可能发生。因为SCR可以看成是由三个PN结组成的。
当SCR处于阻断状态时，J2结相当于电容器C0，因为各层非常接近。当SCR的阳极电压改变时，充电电流将流过电容器C0并通过JBOY3乐队结。该电流充当栅极触发电流。如果在SCR关断时阳极电压上升过快，C0的充电电流就越大，这可能导致SCR在没有触发信号的情况下被误导，也就是通常所说的硬导通，这是不允许的。应该对加到SCR上的阳极电压的上升速率有一些限制。
为了限制电路过高的电压上升率，保证晶闸管的安全运行，往往在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容器两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。由于电路中始终存在电感(变压器漏电感或负载电感)，与电容C串联的电阻R可以起到阻尼作用，可以防止R、L、C电路过渡过程中由于振荡而出现在电容两端的过电压损坏晶闸管。同时也避免了电容通过晶闸管释放太大电流，造成过流，损坏晶闸管。
由于可控硅过流过压能力差，没有可靠的保护措施就不能正常工作。RC阻容吸收网络是常用的保护方法之一。
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