IGBT绝缘栅双极晶体管是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高和GTR导通压降低的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。IGBT非常适合DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1示出了N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构。N+区域被称为源极区域， 附着在其上的电极称为源极。N+区域被称为漏极区域。器件的控制区是栅极区，附着其上的电极称为栅极。沟道形成在栅极区域的边界附近。漏极和源极之间的P型区(包括P+和P-1区)(该区形成沟道)称为子沟道区，而漏极区另一侧的P+区称为漏注入区，这是IGBT特有的功能区。它与漏极区和子沟道区一起构成PNP双极晶体管，作为发射极，向漏极注入空穴，进行导通调制，降低器件的导通状态。连接到漏极注入区的电极称为漏极。IGBT的开关功能是通过增加正向栅极电压来形成沟道， 并为PNP晶体管提供基极电流以开启IGBT。相反，增加反向栅极电压以消除沟道，切断基极电流并关闭IGBT。IGBT的驱动方式与MOSFET基本相同，只需要控制输入电极N沟道MOSFET，因此具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N层的空穴(少数载流子)中，调制N层的电导，降低N层的电阻，使IGBT在高电压下具有较低的通态电压。
储存中的注意事项
一般来说，存放IGBT模块的地方应保持正常的温度和湿度，不应偏离太多。正常温度5 ~ 35℃，正常湿度45 ~ 75%左右。冬天特别干燥的地区，要用加湿器加湿；尽量远离腐蚀性气体或灰尘较多的地方；
温度变化剧烈的地方IGBT模块表面可能有露水凝结，所以IGBT模块应放在温度变化较小的地方；保管时，注意不要在IGBT模块上堆放重物；带有IGBT模块的容器应该是没有静电的容器。
在安装或更换IGBT模块时，我们应该非常重视IGBT模块和散热器之间的接触面状态和紧固程度。为了降低接触热阻，散热器和IGBT模块之间涂有导热硅脂。一般情况下，散热片底部安装有冷却风扇。当冷却风扇损坏时，散热片散热不良，会导致IGBT模块发热而失效。因此，应该定期检查冷却风扇。一般情况下，温度传感器安装在散热片上的IGBT模块附近，当温度过高时，它会报警或停止IGBT模块的工作。