IGBT是绝缘栅双极晶体管的缩写。IGBT是由MOSFET和双极晶体管组成的器件。它的输入是MOSFET，输出是PNP晶体管。它结合了这两种器件的优点，既有MOSFET器件驱动功率低、开关速度快的优点，又有双极器件饱和电压低、容量大的优点。其频率特性介于MOSFET和功率晶体管之间，可以在几十kHz的频率范围内正常工作。它在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，并在高频和中功率应用中占据主导地位。
IGBT的等效电路如图1所示。从图1可以看出，如果在IGBT的栅极和发射极之间加一个正的驱动电压，MOSFET就会导通，这样PNP晶体管的集电极和基极就会处于低阻状态，晶体管就会导通。如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V，MOS关断，从而切断PNP晶体管基极电流的供给，使晶体管截止。像MOSFET一样，IGBT也是一种压控器件。在它的栅极和发射极之间加一个10 V以上的DC电压，只有uA级的漏电流流过，基本不消耗功率。
IGBT模块的电压规格与所用设备的输入电源电压密切相关。它们的相互关系如下表所示。当IGBT模块的集电极电流在使用中增加时，额定损耗也增加。同时开关损耗增加，加剧了原有的发热。因此，选择IGBT模块时，额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗和发热的增加，选用时要降级。
因为IGBT模块是MOSFET结构，IGBT的栅极通过氧化膜与发射极电隔离。由于这种氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20 ~ 30 V，因此静电引起的栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此，在使用中要注意以下几点:使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子，需要触摸模块端子时，应先将人体或衣服上电阻较大的静电放电后再触摸；当用导电材料连接模块驱动端子时，请不要在接线完成前连接模块；尽量在底板接地良好的情况下操作。在应用中，虽然有时保证栅极驱动电压不超过栅极的额定电压， 栅极连接的寄生电感和栅极与集电极之间的电容耦合也会产生损坏氧化层的振荡电压。因此，通常使用双绞线来传输驱动信号，以减少寄生电感。振荡电压也可以通过在栅极连接中串联一个小电阻来抑制。