Q1:回收集成电路芯片
1.该图示出了由M沟道增强型MOS晶体管TN和M沟道增强型MOS晶体管TP组成的CMOS非门。
2.图CMOS非门电路图CMOS反相器电路。
3.两个管或门作为输入端连接，两个管的漏极作为输出端连接。
4.TN简而言之，源接地，TP简而言之，源扇叶。
5.为了尽一切努力保证电路的正常工作，VDD需要超过TN晶体管导通电压VTN和TP晶体管导通电压VTP或实部和，例如UDDUTN+|UTP|。
6.当Ui=0V不再可用时，TN关闭，TP开启，Uo≈UDD取高电平。
7.但当Ui=UDD时，TN开，TP关，Uo≈0V低。
Q2:电子集成电路芯片回收
1.为了从基区扩散，在我看来，电子充当集电极结或者少数载流子，EC漂移到集电极结，但是收集不好，形成冰。
2、IC =冰+ICBO≈ICEC。
3、IB=IBEICBO≈IBE。
4.忽略电流分配关系，对极间电流影响不大。在我看来，电子和空穴的运动形成一个短电流，BJT的电流关系充当。
5.IE=IC+IB3JohnBJT电流放大系数共发射极DC电流放大系数。
6、≈IC/IB∴IE≈(1+|。
7.IB共发射极交流电流放大系数。
8，取决于BJT制造期间的材料掺杂浓度。
9，8060死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V..
Q3:回收ICmos三极管操作流程
1.Vout=(3)每当1.7VIN3VGSVTHVDSMOS晶体管处于反苏导通的三极管区，Vout=VOUTVIN曲线2。VOUT有R1产生的电流，电路工作时，R和S反相。
2.另一方面，也有可能在几次饱和后，三极管甚至截止区VOUTVIN的曲线(cc)E和d反接VGS=2VOUTVDS=2VOUTVSB=VOUTVIN，所以VDSVGSVTHM1仍然处于反华导通或饱和区。
3，15晶体管需要从饱和区工作，所以有一个折叠结构CDG=15.36fF，CGS=79.36fF得到gm，然后需要从。
第四季度:二极管市场
1.了解系统的离散时间信号和时域分析。
2.了解P变换的离散时间系统。在我看来，Z域分析。
3.请列出我所知道的电阻、电容、电感的品牌(最好包括国际和国外品牌)。
4.兴亚，京瓷京瓷，村田，松下松下，罗姆，苏苏姆，TDK台湾省。
5、克梅特集美、天井泽天、维谢韦氏英国。
6、丹麦WIMA EPCOS。
7.三星三星，三星六，三星刘颖台湾省。
8.富士通、富广智、埃克森和中国万宇。
Q5:再循环ICmos二极管的特征函数
1.AVX，Coilcraft线艺术，脉冲普斯，VISHAY德国。
2.兴亚，村田，松下松下，隅田圣美达，太太狼，TDK，东乡，东洋省。
3.高斯泰克枫景、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、顺络顺络、紫泰晶、肇庆英达。
4.请解释电阻、电容、电感的封装和含义。
5.请解释下列字母代表的总电容和精度。
6、S——+80%~20%。
7.在我看来，什么样的参数依次与封装形状相关？
Q6:再循环ICmos二极管优点和意义
1.为了解决视角问题，发展了三种广视角技术。目前市场上有三种新的广视角技术。
2、TN+电影，MVA，IPS .
3.一般来说，广角技术不会应用在公司目前销售的产品上。或许，考虑到笔记本是个人用的，广角的好处不是很大，所以monitor经常使用广角技术。使用监视器时，可能会显示许多素材。一般来说，屏幕会显示给在一旁的人看。
4、重影重影是指画面切换后，一个画面不会马上消失的现象。
5.后像和它的反应时间不一样。残像完全消失可能需要七三秒，但是液晶或者反应时间是五六到几百微秒。这样的设计做不出好的LCD显示，即使反应时间15+35ms，也不一定能让用户看到残像。