硅晶闸管自20世纪50年代问世以来，经过功率半导体器件研究者的不懈努力，已经取得了令人瞩目的成就。硅晶闸管从普通晶闸管(PCT)逐渐发展到门极可关断晶闸管(GTO)、集成门极换向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和MOS栅控晶闸管(MCT、BRT、EST)。晶闸管因其高电压和大电流而在许多电力电子系统中起着重要的作用。
随着功率集成技术、新材料和新工艺的不断进步和成熟，科技人员利用陶瓷覆铜(DCB)技术将晶闸管及其移相触发电路、自动调节电路和SMT表面贴装技术结合起来，融为一体，使其具有功率调节和自动控制的功能。业内人士称之为晶闸管智能控制模块，外形如图1所示。
2结构、参数、分类和应用领域
晶闸管智能控制模块按用途一般分为通用模块和模块。通用模块一般指整流模块、交流模块等。这些模块包括充放电模块、电机软启动模块等。
通用模块由晶闸管主电路、移相触发电路和保护电路组成，具有功率调节和过热、过压、过流保护功能。它的可靠性、稳定性和智能性都很高，但体积并不大。采用DCB技术，铜箔在高温下直接键合在氧化铝或氮化铝陶瓷基板表面，采用先进的焊接技术，使模块的隔离电压达到2.5kV以上，保证了模块的热阻低、热循环次数多、使用寿命长。