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使输出DC更平滑。去耦电容相当于电池，避免了电流突变引起的电压下降，相当于滤波纹波。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都起电抗的作用，电容在不同位置时名称不同。对于同一个电路，旁路电容以输入信号中的高频噪声为滤波对象，滤除前一级携带的高频杂波，而去耦电容又称去耦电容，以输出信号为滤波对象。就电路而言，总有一个驱动源和一个驱动负载。如果负载电容比较大，驱动电路需要对电容充放电来完成信号跳变。当上升沿陡峭时，电流相对较大， 所以驱动电流会吸收很大的电源电流。因为电路中的电感和电阻(尤其是芯片管脚上的电感，会反弹)，这个电流和正常情况相比其实是一种噪声，会影响前一级的正常工作。
一台三相电机的六个引出端子无法明确区分。首先必须判断其他三相绕组的引出端子，才能进行电机的Y形和三角形连接。判断定子绕组引出端的方法如下:用万用表判断引出端的一种方法是:先用摇表或万用表找出三相绕组每相绕组的两个引出端。使三相绕组的假想数UUVVWW2。然后将三相绕组的三个假想的尾部分别连接在一起，用一个几万米几毫安或微安，1。用手转动电机转子。如果万用表指针不动，则认为头尾是正确的。如果万用表指针摆动(如图)， 说明假设数字的开头和结尾是错误的，要逐个重新调整，直到万用表指针不动为止。这时候连在一起的三块是正确的。
MOS管型防反接保护电路利用MOS管的开关特性来控制电路的导通和关断，设计防反接保护电路。由于功率MOS管的内阻很小，MOSFETRds(on)现在已经能够做到毫欧级别，解决了现有二极管电源防反接方案存在的压降过大、功耗过大等问题。极性反转保护将用于保护的场效应晶体管与被保护电路串联。用于保护的场效应晶体管是PMOS场效应晶体管或NMOS场效应晶体管。如果是PMOS，其栅极和源极分别连接到被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接到被保护电路中PMOS元件的衬底。
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