晶圆是制造半导体器件的基本原材料。高纯度半导体通过拉晶、切片等工艺制成晶片。晶圆通过一系列半导体制造工艺形成微小的电路结构，然后切割、封装、测试成芯片，广泛应用于各种电子器件。经过60多年的技术演进和产业发展，晶圆材料已经形成了以硅为主，新型半导体材料为辅的产业局面。
据报道，世界上80%的手机和电脑产自中国。中国95%的高性能芯片靠进口，所以中国每年花2200亿美元进口芯片，是中国每年石油进口的两倍。所有与光刻机和芯片生产相关的设备和材料也被封杀，比如晶圆、高纯度金属、蚀刻机等等。
今天就让边肖好好看看晶圆机的紫外光擦除原理！这样可以对晶圆机的结构有更深入的了解，也可以帮助你了解晶圆机的光擦除技术是如何发展进步的！
紫外线擦除原理
写数据时，需要在栅极加一个高压VPP，如下图所示，向浮栅注入电荷。因为注入的电荷不具备穿透氧化硅膜能量墙的能量，只能维持现状，所以一定要给电荷一些能量！这时候就需要用紫外线了。
当浮栅接收到紫外辐射，浮栅中的电子接收到紫外光量子的能量时，电子变成热电子，其能量穿透氧化硅膜的能量壁。如图所示，热电子穿透氧化硅膜，流向衬底和栅极，回到擦除状态。擦除操作只能通过接收紫外线辐射来进行，而不能通过电子擦除来进行。也就是说，位数只能从“1”变成“0”，反方向，除了擦除芯片所有内容的方法，没有其他方法。
我们知道光的能量与光的波长成反比。为了使电子变成热电子，从而具有穿透氧化膜的能量，非常需要用波长更短的光即紫外线照射。由于擦除时间取决于光学光子的数量，所以即使波长很短，擦除时间也不能缩短。通常，当波长约为4000埃(400纳米)时开始擦除。在3000A左右基本饱和，3000A以下，即使波长更短，也不会对擦除时间有任何影响。
(晶圆紫外灯光谱)
一般紫外擦除的标准是接受波长为253.7nm、强度≥16000μW/cm2的紫外辐射30分钟至3小时，即可完成其擦除操作。
2014年以来，朗普已成功为深圳多家晶圆加工企业提供紫外光擦除设备，降低了晶圆加工成本，减少了光强衰减，质量稳定。随着朗普对紫外光擦除器件的不断研发，必将为晶圆行业和芯片制造行业带来更多新的希望！